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              201210566694.6包含銻氧化物的厚膜組合物及其在制備半導 體器件中的用途

              • 專利類型:
                發明專利
              • 發  明  人:
                M·赫爾特斯 M·內伊德特
              • 申  請  人:
                赫勞斯貴金屬有限兩和公司
              • 地        址:
                德國哈瑙
              • 狀        態:
                公開
              • 文件大。
                3.12 MB
              • 公  布  號:
                CN 103177788 A
              • 公  布  日:
                2013.06.26
              • 申  請  號:
                201210566694.6
              • 申  請  日:
                2012.12.24
              • 代理機構:
                北京市中咨律師事務所 11247
              • 代  理  人:
                肖威 劉金輝
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              專利介紹


              本發明提供一種用于印刷具有一個或多個絕緣層的太陽能電池器件正面的厚膜組合物。所述組合物包含含氧化鉍的玻璃料和作為所述玻璃料的一部分或者添加劑的銻氧化物。本發明進一步涉及一種通過使用所述厚膜組合物制備半導體器件的方法,以及包含所述半導體器件的制品,尤其是太陽能電池。所述太陽能電池顯示出提高的效率。

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